天津经济技术开发区通用半导体二期扩建工程由天津经济技术开发区通用半导体（中国）有限公司投资兴建。由（美国）工业设计公司设计，位于天津市经济技术开发区第六大道88号。工程主体结构二层，其中一层为砼结构，二层为轻钢结构。工程桩设计采用400×400预制桩约700根，其中地面桩约400根，桩长26米，柱基桩约300根，桩长29米。桩身通长配筋为主筋4Φ18，箍筋Φ6，砼C35。
本工程共设计静载试桩三组，试桩、锚桩均为试验桩，作无破坏试验，同时试桩、锚桩还要求做小应变测试。先进行试桩施工待完成试桩检测后，确认合格，方可进行工程桩施工
